IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

產(chǎn)品型號：FF300R17KE3
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時(shí)間：2024-01-19
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北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售英飛凌1700V-IGBT模塊FF300R17KE3

300A 1700V 62mm 2單元

62mmC-series module with trench/field stop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode

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